Samsung перейде на 3-нм техпроцес у 2022 році з новим поколінням транзисторів

Згідно з останньою інформацією, у 2022 році Intel планує повністю перевести всі свої продукти на техпроцес 7+ нм. У тому ж році Samsung представить 3-нм технологію Gate-All-Around FET (GAAFET), частиною якої є Multi Bridge Channel FET (MBCFET).
https://ift.tt/3errr1l