вторник, 5 апреля 2016 г.

Samsung почала масове виробництво 10-нм DRAM-мікросхем DDR4-пам'яті

В 2014 році компанія Samsung першою в індустрії оперативної пам'яті почала використовувати 20-нм техпроцес для виробництва 4-гігабітних чіпів DDR3 DRAM. Через два роки вона залишається лідером у плані інтеграції нових технологій, оголосивши про початок масового випуску 10-нм 8-гігабайтних мікросхем DDR4 DRAM і модулів пам'яті, створених на їхній основі.
http://ift.tt/1W8mAEj

Комментариев нет:

Отправить комментарий