Специалистами Института микроэлектроники Китайской академии наук (IMECAS) в Пекине создан полевой транзистор с затвором длиной 22 нм. В транзисторе применена технология HKMG (high-K metal-gate). Как утверждается, разработка является ключом к созданию более совершенных микросхем, что позволит Китаю экономить на импорте высоких технологий и повысит конкурентоспособность китайских микросхем на мировом рынке.
Участники проекта отмечают, что им удалось достичь «мирового уровня производительности и низкого энергопотребления». Напомним, компания Intel, обладающая наиболее передовыми технологиями производства микросхем, сейчас выпускает процессоры по 22-нанометровой технологии. Крупные контрактные производители, такие, как TSMC и Globalfoundries, пока не довели такие технологии до коммерческого уровня и выпускают продукцию по 28-нанометровой технологии.
В течение многих лет Китай не мог получить доступ к передовым технологиям полупроводникового производства, поскольку их экспорт из западных стран был ограничен сначала деятельностью комитета CoCom, а затем условиями Вассенарских договоренностей. Однако дополняя лицензированием собственные разработки, Китаю удалось продвинуться довольно далеко.
В настоящее время ведущий китайский контрактный производитель полупроводниковой продукции Semiconductor Manufacturing International выпускает продукцию по 40-нанометровой технологии. До норм 65 нм компания разрабатывала техпроцессы самостоятельно. Чтобы избежать расходов на создание собственной 45-нанометровой технологии, SMIC в конце 2007 года лицензировала ее у IBM. В 2008 году китайский производитель включил в свои планы освоение норм 40 и 32 нм .
Работы по созданию 22-нанометровых транзисторов были начаты в Китае в 2009 году, как один из основных национальных научных проектов.
Источники: IMECAS , EE Times
#vk
http://www.ixbt.com/news/hard/index.shtml?16/40/32
Комментариев нет:
Отправить комментарий