Объему памяти, которым наделены современные смартфоны, сравнительно недавно позавидовал бы не только настольный ПК, но и сервер или рабочая станция. В свою очередь, гигабайт-другой памяти - мелочь на фоне того, чем может обернуться разработка специалистов из университета Райса.
Ученые разработали резистивную память с произвольным доступом (RRAM), которая по плотности существенно любую выпускаемую сейчас память. Немаловажно, что для изготовления новой памяти годится имеющееся оборудование.
Между металлическими электродами новой памяти, изготавливаемыми из золота или платины, находится диэлектрик - пористый оксид кремния, в котором сформированы ячейки памяти. Под действием напряжения, приложенного к электродам, в ячейке формируется или разрушается проводящий канал, изменяя состояние ячейки.
Использование оксида кремния позволяет использовать опробованные на практике технологии, снижает затраты энергии для перезаписи, делает память устойчивой к нагреву. Что касается затрат энергии, напряжение питания памяти удалось снизить до 2 В - примерно в 13 раз по сравнению с прежними образцами. Что касается плотности, новая память многократно превосходит, например, флэш-память. Как и в случае флэш-памяти, ячейка является многоуровневой. Но если в одной ячейке памяти TLC NAND получается хранить до трех бит, то в ячейке RRAM - до девяти. По оценке участников проекта, чип размером с почтовую марку может иметь терабайтный объем.
Ученые уже обратились к производителям с предложением лицензировать разработку.
Источник: Университет Райса
Теги: RRAM
Комментировать
http://ift.tt/X06BgR
Комментариев нет:
Отправить комментарий